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背抛光刻蚀清洗机

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2011年,晶洲率先在国内第一家推出第一代的背抛光刻蚀机,其拥有完全的自主知识产权,拥有多项发明专利与实用新型专利。

技术优势:

1.可观的电池效率提升,根据不同的工艺基础,可提升0.1%-0.2%。

2.集扩散后抛光和湿法刻蚀与一体(专利技术),无需额外设备投入,无需增加工序。

3.无需使用naoh, hno3 h2so4,更环保、更低的化学品耗用成本。

4.专用抛光液,抛光效果好,易控制,产量大,成本低,废水易处理,节约废水处理成本。

5.背抛光技术与se,背面钝化(al2o3),背接触技术,两次印刷,mwt等主流技术可叠加,兼容性好,提升背面技术革新空间。

6.技术便于实现系统集成或模块化,方便客户选择整机或改造。


背抛光刻蚀清洗机

 

项目  说明 
功能  去psg+背抛光+刻蚀 
适用对象  多晶/单晶硅片 
硅片尺寸  156mm*156mm 
125mm*125mm 
产能  125mm*125mm      
标准产能 3600cells/h 
156mm*156mm     
标准产能 3000cells/h 
传输轨道  5
碎片率  ≦0.05% 
速度范围  1.0~2.5m/min 
操作速度  1.8m/min 
主要材质  pvdf, naturepp, peek, pvc 
滚轮材质  pp 
电力供应  65kw,3相交流电380v,50hz 
纯水  2.5±0.5kgf/cm2 
压缩空气/氮气  5±0.5kgf/cm2 
 

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